RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Gesamtnote
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3,071.4
13.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
70
Rund um -112% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
70
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,372.7
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3,071.4
13.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
2987
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link