RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Gesamtnote
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3,071.4
13.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
70
Rund um -112% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
70
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,372.7
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3,071.4
13.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
2987
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link