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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Vergleichen Sie
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Gesamtnote
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
29
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
5.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.4
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.5
15.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1453
3567
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
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