RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Vergleichen Sie
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
28
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
5.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.4
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.5
14.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1453
3260
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM-Vergleiche
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link