RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
54
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.5
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
1,781.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,269.3
9.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,781.8
7.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
618
1949
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link