RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Vergleichen Sie
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Gesamtnote
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
54
Rund um -93% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
1,781.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,269.3
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,781.8
14.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
618
3660
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMY16GX3M2C1866C10 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link