RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
27
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
11.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2365
2687
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88G7N-CG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link