RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
60
63
Rund um -5% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
15.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2813
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link