RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
60
63
Rund um -5% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
9.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2004
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link