STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Gesamtnote
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Gesamtnote
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ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Unterschiede

  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 11.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    30 left arrow 63
    Rund um -110% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    6.1 left arrow 1,447.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 5300
    Rund um 3.21 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    63 left arrow 30
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,231.0 left arrow 11.1
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,447.3 left arrow 6.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    478 left arrow 1254
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