RAM-Vergleich STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Gesamtnote

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 18.2

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

26 63

Rund um -142% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

17.3 1,447.3

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 5300

Rund um 4.02 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

478 3938

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns