RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
63
Rund um -97% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
10.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2815
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link