RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
63
Rund um -142% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
11.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2706
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link