RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
63
Rund um -117% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
13.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
3483
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link