RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
63
Rund um -186% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
13.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
3036
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link