RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
63
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
14.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
3373
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link