RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
63
Rund um -133% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
15.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
3561
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link