RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
63
Rund um -80% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
10.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2426
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link