RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
63
Rund um -85% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
13.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
3047
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link