RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
63
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
12.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2920
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link