RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
63
Rund um -152% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
11.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2975
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link