RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
63
Rund um -142% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
13.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
3406
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link