RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
63
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
12.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
14.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
3061
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link