RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
63
Rund um -186% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
14.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
3392
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link