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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB

Gesamtnote
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Gesamtnote
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Unterschiede

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 18
    Durchschnittswert bei den Tests
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    27 left arrow 63
    Rund um -133% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.9 left arrow 1,447.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 5300
    Rund um 3.21 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    63 left arrow 27
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,231.0 left arrow 18.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,447.3 left arrow 13.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    478 left arrow 3429

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