RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
63
Rund um -125% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
16.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
3835
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link