RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
63
Rund um -163% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.2
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
17.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
4152
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link