RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
21.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
63
Rund um -133% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.1
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
21.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
19.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
4044
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link