RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
23
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
15
63
Rund um -320% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
21.0
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
15
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
23.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
21.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
4039
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link