RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
63
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
8.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
7.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2126
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link