RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
63
Rund um -174% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
13.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
3169
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link