RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
63
79
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
79
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
12.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
7.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
1721
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link