RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
63
Rund um -80% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
12.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2963
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link