RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
63
Rund um -85% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
12.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2978
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link