RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
63
Rund um -133% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
9.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2347
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
SK Hynix HYMP512S64BP8-C4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link