RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
63
Rund um -62% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.7
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.2
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
8.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
6.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
1842
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link