RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
63
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
11.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
8.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2371
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Crucial Technology BLE8G3D1869DE1TX0. 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link