RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
63
Rund um -91% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
12.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2910
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link