RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
63
Rund um -97% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
10.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
8.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2349
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Kingston 99P5474-034.A00LF 2GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Strontium SRP2G86U1-S6M 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link