RAM-Vergleich STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Gesamtnote

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 17.2

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

59 63

Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.7 1,447.3

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 5300

Rund um 4.83 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

478 2181

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns