RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
63
Rund um -174% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.8
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
19.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
18.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
4095
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link