RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
63
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5.3
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
5.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
8.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
1535
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link