RAM-Vergleich Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Gesamtnote

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

31 36

Rund um 14% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

17.3 11.7

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.2 7.2

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 12800

Rund um 1.66 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1990 3169

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns