RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Vergleichen Sie
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Gesamtnote
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
58
Rund um 47% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
58
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
6.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1990
1740
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB RAM-Vergleiche
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Inmos + 256MB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link