RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Vergleichen Sie
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Gesamtnote
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
32
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
12.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2305
2933
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ3F1600LV2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
INTENSO 5641162 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link