RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Vergleichen Sie
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Gesamtnote
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gesamtnote
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
68
Rund um -240% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
1,944.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,973.0
19.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,944.9
15.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
673
3473
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB RAM-Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link