RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Vergleichen Sie
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Gesamtnote
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
50
68
Rund um -36% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
1,944.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,973.0
10.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,944.9
7.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
673
2248
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB RAM-Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link