RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
18.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
46
Rund um -84% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.2
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
17.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
4039
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link