RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
46
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
11.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
10.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
2462
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology C 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link