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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
46
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
9.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
2452
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
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