RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
54
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.6
5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
7.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
7.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
1611
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link